】 【打 印】 
超高帶寬的動態隨機存儲器問世
http://www.CRNTT.com   2021-11-03 11:53:10


  中評社北京11月3日電/據科技日報報道,韓國SK海力士日前宣布,該公司開發成功HBM3動態隨機存取存儲器(DRAM),每秒能夠處理819GB的數據,內置ECC校檢。

  該HBM3DRAM將以16GB和24GB兩種容量上市。其中24GB是業界目前最大容量。在24GB產品中,單品DRAM芯片的高度被磨削到約30μm,使用TSV技術垂直連接12個芯片。

  HBM3被稱為第四代HBM,由多個垂直連接的DRAM芯片堆叠而成,能夠創新性地提高內存帶寬。SK海力士2020年7月在業界最先開始量產HBM2DRAM。

  SK海力士強調,將繼續鞏固高端存儲器市場領導力,提供符合ESG(環境、社會、公司治理)經營理念的產品,盡最大努力提高客戶價值。

掃描二維碼訪問中評網移動版 】 【打 印掃描二維碼訪問中評社微信  

 相關新聞: