中評社香港5月5日電／一項新近發表在英國《自然》期刊上的國際研究表明，用一種新方法對半導體材料氧化亞銅進行“扭曲”後，發現其捕獲光能後轉化為可用電能的性能提升70%。這種方法有望製造性能更好的低成本光電材料。
銅氧化物是價格低廉、儲量豐富的半導體材料，具有良好的導電性和光學性能，可用於製造太陽能電池、光電器件、傳感器等。銅氧化物雖然在捕捉陽光並將其轉化為電荷方面相當有效，但容易丟失電荷，材料性能有限。
新華社報導，研究人員說，他們發現電荷在這種半導體材料中沿著對角線方向移動時，比沿著表面或邊緣移動要遠得多，而能讓電荷移動得更遠就意味著材料性能更好。
為優化這種低成本材料的性能，研究人員利用薄膜沉積技術，在常溫常壓下製備出高質量的氧化亞銅晶體薄膜，通過精確控制晶體的生長和流速，使晶體的生長方向“扭向”對角線方向，並觀察晶體的生長方向如何影響電荷在材料中的有效移動。
他們發現，對這種新技術製造的氧化亞銅光電陰極的測試表明，與現有的電沉積氧化物製成的光電陰極相比，性能提高70%以上，同時晶體薄膜穩定性也顯著提升。
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