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光刻機國產化前景如何?
http://www.CRNTT.com   2023-07-28 11:59:38


  中評社北京7月28日電/據證券日報報導,繼美國與荷蘭之後,7月23日,日本限制半導體製造設備出口的新規也正式生效,這給我國半導體產業最尖端的芯片製造領域帶來巨大壓力。

    光刻機是一種利用光學原理將電路圖案轉移到矽片上的設備,相當於芯片製造的“打印機”,決定著芯片的工藝水平和性能,是芯片製造中的關鍵核心設備,也是半導體產業核心中的核心。全球光刻機市場幾乎被荷蘭的阿斯麥(ASML)、日本的佳能和尼康壟斷,其中ASML更是獨占高端極紫外光刻機(EUV)的市場份額。隨著這些國家對中國半導體製造設備實施出口限制,中國獲取高端光刻機的難度將進一步加大。

    目前最先進的EUV光刻機,有超過45萬個零件,零件數量是一輛F1賽車的20倍以上,製造難度超乎想象。即便是處於世界EUV光刻機製造壟斷地位的ASML,大約也只生產了其中的15%,另外85%的零件需要從全球的供應鏈整合而來。因此,推進我國光刻機關鍵技術研發,提升半導體設備國產化率,是當下乃至未來相當長一段時間內,既重要緊迫,同時又有很高難度的攻堅任務。

    一方面,要看到在國家政策支持和市場需求驅動下,近年來我國在光刻機領域取得了積極進展。近日,有消息稱,上海微電子正在致力於研發28納米浸沒式光刻機,預計在2023年底將國產第一台SSA/800-10W光刻機設備交付市場。2022年11月15日,國家知識產權局公布了華為的一項新專利“反射鏡、光刻裝置及其控制方法”(CN115343915A),這是在EUV光刻機核心技術上取得的突破性進展。另外,華中科技大學研製的OPC系統、哈爾濱工業大學研製的激光干涉系統等,也各自有所突破。同時,我國也在加快推進14納米、7納米甚至更低節點的光刻機研發工作。

    我國可量產90納米以上的光刻機,與國際先進水平雖有差距,但也能滿足國內市場部分需要。這表明,我國在光刻機領域具有一定的技術積累和人才儲備,有望逐步縮小與國際先進水平的差距。

    另一方面,也要看到光刻機涉及光學、精密機械、材料、控制等多領域複雜技術,關鍵技術研發具有超高難度,僅有政策和資金支持還遠遠不夠,還需要包括技術、人才、數據等各種資源的高效組合。發揮好資本市場的資源配置功能,對光刻機產業而言大有裨益。資本市場可以為光刻機相關企業提供融資渠道,幫助企業擴大生產規模、增加研發投入、引進人才和技術等,提高企業的競爭力和創新能力。資本市場可以為光刻機相關企業提供價值評估和激勵機制,促進企業提高質量和效率,增強市場信心和影響力,吸引更多的合作夥伴和客戶。資本市場還可以為光刻機相關企業提供信息傳遞和監督功能,增加企業的透明度和公信力,促進企業與政府、行業協會、科研機構等的溝通和協調,形成良好的產業生態。

    光刻機是半導體產業“王冠上的明珠”,推進其關鍵技術研發,提升半導體設備國產化率,是我國半導體產業發展的必由之路。路雖遠,行則將至!

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