中評社北京1月25日電／1月24日，華為發布兩款5G關鍵芯片，分別應用於5G基站和智能手機等終端產品。同時，多地5G應用案例層出不窮。從上游核心器件到下游應用場景，以及地方支持政策加碼，5G產業發展利好不斷。此外，IMT－2020（5G）推進組發布5G技術研發試驗第三階段測試結果，5G基站與核心網設備主要功能符合預期。第三階段測試工作基本完成，大規模5G網絡建設即將開展。
核心芯片取得突破
芯片等核心器件是5G產業的基石。其中，5G設備與終端領域的關鍵射頻器件、AD／DA轉換器件、基帶芯片等元器件，成為國內企業5G產業上游突破的關鍵點。
對於此次發布兩款5G關鍵芯片，華為常務董事、運營商BG總裁丁耘介紹，此次發布的5G基站芯片名為“天罡”，打破了高通在該領域的壟斷。“天罡”芯片可實現超高集成、極強算力、極寬頻譜優勢性能於一身，將基站尺寸縮小超過50％、重量減輕23％、功耗節省達21％，安裝時間比標准的4G基站節省一半左右。
對於應用於5G多模終端的基帶芯片Balong 5000，華為常務董事、消費者BG總裁餘承東介紹，Balong 5000是全面開啓5G時代的鑰匙。除智能手機外，可以支持家庭寬帶終端、車載終端和5G模組等，如助力實現5G時代車聯網應用等。此外，Balong 5000能够支持2G－5G多種網絡制式，并滿足5G NSA和SA不同的組網方式要求。終端方面，餘承東透露，將於2019年2月巴塞羅那世界移動大會發布全球首款5G折叠屏手機。
政策層面重視5G鏈核心器件發展。《北京市5G產業發展行動方案（2019年－2022年）》日前發布。北京市將突破5G核心器件關鍵技術并實現產業化應用作為發展5G產業的首要任務；將建設5G中高頻射頻器件產業創新中心，支持有條件的企業建設6英寸砷化鎵、氮化鎵等化合物半導體工藝驗證綫；組織實施5G器件設計專項，完善5G芯片設計工具，組織一批芯片設計公司研發射頻天綫、功率放大器、低噪聲放大器、濾波器、開關以及模組等產品；打造5G器件研發制造基地，以亦莊經濟技術開發區和順義第三代半導體產業基地為主體，引進培育一批器件設計、關鍵材料制備、特色產品制造與封裝企業，爭取到2022年全球市場份額占比10％以上。
規模組網箭在弦上
丁耘表示，華為在全球獲得了30個5G商用合同，累計發貨2．5萬多個5G基站；與國內三大運營商合作，在17個城市建成30餘個5G實驗外場，針對具體場景具體訴求探索5G商用及基於5G網絡的新應用。華為5G產品綫總裁楊超斌表示，華為已完成全部預商用測試驗證，5G規模商用進入快車道。 |
